RGT00TS65DGC11 Datenblatt
Technische Daten für RGT00TS65DGC11
Artikelnummer : RGT00TS65DGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max : 277W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 42ns/137ns
Testbedingung : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 54ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247N
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
92405 Stücke
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