RJK6011DJE-00#Z0 Datenblatt
Technische Daten für RJK6011DJE-00#Z0
Artikelnummer : RJK6011DJE-00#Z0
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 900mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92(1)
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17408 Stücke
Referenzpreis
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