RJM0603JSC-00#13 Datenblatt
Technische Daten für RJM0603JSC-00#13
Artikelnummer : RJM0603JSC-00#13
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 10V
Leistung max : 54W
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package : 20-HSOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
32690 Stücke
Referenzpreis
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