RN1130MFV,L3F Datenblatt
Technische Daten für RN1130MFV,L3F
Artikelnummer : RN1130MFV,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-723
Supplier Device Package : VESM
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
14844670 Stücke
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