RN1426TE85LF Datenblatt
Technische Daten für RN1426TE85LF
Artikelnummer : RN1426TE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 800mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 90 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 300MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : S-Mini
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RN1426TE85LF
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4948220 Stücke
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