RN1961(TE85L,F) Datenblatt
Technische Daten für RN1961(TE85L,F)
Artikelnummer : RN1961(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : US6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5301660 Stücke
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