RQ3E120ATTB Datenblatt
Technische Daten für RQ3E120ATTB
Artikelnummer : RQ3E120ATTB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RQ3E120ATTB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2186095 Stücke
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