RQ6L020SPTCR Datenblatt
Technische Daten für RQ6L020SPTCR
Artikelnummer : RQ6L020SPTCR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : RQ6L020SP IS A MOSFET WITH LOW O
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TSMT6 (SC-95)
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RQ6L020SPTCR
Hersteller
Kurze Beschreibung
RQ6L020SP IS A MOSFET WITH LOW O
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1227955 Stücke
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