RQJ0305EQDQS#H1 Datenblatt
Technische Daten für RQJ0305EQDQS#H1
Artikelnummer : RQJ0305EQDQS#H1
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET P-CH UPAK
Serie : *
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : -
Technologie : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Supplier Device Package : -
Paket / fall : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH UPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
24038 Stücke
Referenzpreis
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