RUU002N05T106 Datenblatt
Technische Daten für RUU002N05T106
Artikelnummer : RUU002N05T106
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : UMT3
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7819510 Stücke
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