S1DBHM4G Datenblatt
Technische Daten für S1DBHM4G
Artikelnummer : S1DBHM4G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-S1DBHM4G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5430970 Stücke
Referenzpreis
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