S1JVNJD2873T4G Datenblatt
Technische Daten für S1JVNJD2873T4G
Artikelnummer : S1JVNJD2873T4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANSISTOR PNP BIPO
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 500mA, 2V
Leistung max : 1.68W
Frequenz - Übergang : 65MHz
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR PNP BIPO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1510745 Stücke
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