SCT2750NYTB Datenblatt
Technische Daten für SCT2750NYTB
Artikelnummer : SCT2750NYTB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : 1700V .75 OHM 6A SIC FET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 975 mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 630µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 800V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 57W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SCT2750NYTB
Hersteller
Kurze Beschreibung
1700V .75 OHM 6A SIC FET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
108480 Stücke
Referenzpreis
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