SCT3060ALGC11 Datenblatt
Technische Daten für SCT3060ALGC11
Artikelnummer : SCT3060ALGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET NCH 650V 39A TO247N
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 6.67mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 852pF @ 500V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247N
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
47592 Stücke
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