SCT3080ALGC11 Datenblatt
Technische Daten für SCT3080ALGC11
Artikelnummer : SCT3080ALGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 571pF @ 500V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 134W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247N
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
54048 Stücke
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