SCT50N120 Datenblatt
Technische Daten für SCT50N120
Artikelnummer : SCT50N120
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 318W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : HiP247™
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SCT50N120
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17760 Stücke
Referenzpreis
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