SI1025X-T1-E3 Datenblatt
Technische Daten für SI1025X-T1-E3
Artikelnummer : SI1025X-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23pF @ 25V
Leistung max : 250mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SC-89-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26747 Stücke
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