SI1029X-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SI1029X-T1-GE3
Artikelnummer : SI1029X-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V
Leistung max : 250mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SC-89-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2355105 Stücke
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