SI1414DH-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SI1414DH-T1-GE3
Artikelnummer : SI1414DH-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-363
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
22128 Stücke
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