SI8441DB-T2-E1 Datenblatt
Technische Daten für SI8441DB-T2-E1
Artikelnummer : SI8441DB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paket / fall : 6-UFBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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