SI8900EDB-T2-E1 Datenblatt
Technische Daten für SI8900EDB-T2-E1
Artikelnummer : SI8900EDB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 10-UFBGA, CSPBGA
Supplier Device Package : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
271970 Stücke
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