SIA477EDJ-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIA477EDJ-T1-GE3
Artikelnummer : SIA477EDJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 8V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2970pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2355105 Stücke
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