SIA817EDJ-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIA817EDJ-T1-GE3
Artikelnummer : SIA817EDJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Serie : LITTLE FOOT®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2355105 Stücke
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