SIA920DJ-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIA920DJ-T1-GE3
Artikelnummer : SIA920DJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 4V
Leistung max : 7.8W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28406 Stücke
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