SIB452DK-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIB452DK-T1-GE3
Artikelnummer : SIB452DK-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-75-6L Single
Paket / fall : PowerPAK® SC-75-6L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1379365 Stücke
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