SIB912DK-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIB912DK-T1-GE3
Artikelnummer : SIB912DK-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 95pF @ 10V
Leistung max : 3.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2355105 Stücke
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