SIR622DP-T1-RE3 Datenblatt
Technische Daten für SIR622DP-T1-RE3
Artikelnummer : SIR622DP-T1-RE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : N-CHANNEL 150-V D-S MOSFET
Serie : ThunderFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1516pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : PowerPAK® SO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
N-CHANNEL 150-V D-S MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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