SISA01DN-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SISA01DN-T1-GE3
Artikelnummer : SISA01DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : +16V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3490pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1167465 Stücke
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