SIZ918DT-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIZ918DT-T1-GE3
Artikelnummer : SIZ918DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 15V
Leistung max : 29W, 100W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
792010 Stücke
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