SIZ926DT-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIZ926DT-T1-GE3
Artikelnummer : SIZ926DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Leistung max : 20.2W, 40W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
811870 Stücke
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