SIZF916DT-T1-GE3 Datenblatt
Technische Daten für SIZF916DT-T1-GE3
Artikelnummer : SIZF916DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH DUAL 30V
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Leistung max : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH DUAL 30V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
603435 Stücke
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