SP8M4FU6TB Datenblatt
Technische Daten für SP8M4FU6TB
Artikelnummer : SP8M4FU6TB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 10V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SP8M4FU6TB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28273 Stücke
Referenzpreis
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