SPS01N60C3 Datenblatt
Technische Daten für SPS01N60C3
Artikelnummer : SPS01N60C3
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 11W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO251-3
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SPS01N60C3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
8712 Stücke
Referenzpreis
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