SQ2362ES-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQ2362ES-T1_GE3
Artikelnummer : SQ2362ES-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1943415 Stücke
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