SQ4532AEY-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQ4532AEY-T1_GE3
Artikelnummer : SQ4532AEY-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Leistung max : 3.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1230705 Stücke
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