SQ4917EY-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQ4917EY-T1_GE3
Artikelnummer : SQ4917EY-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1910pF @ 30V
Leistung max : 5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
491695 Stücke
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