SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQJ200EP-T1_GE3
Artikelnummer : SQJ200EP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 975pF @ 10V
Leistung max : 27W, 48W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
948870 Stücke
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