SQJ560EP-T1_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQJ560EP-T1_GE3
Artikelnummer : SQJ560EP-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V
Leistung max : 34W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
724955 Stücke
Referenzpreis
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