SQR70090ELR_GE3 Datenblatt
Technische Daten für SQR70090ELR_GE3
Artikelnummer : SQR70090ELR_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 86A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 136W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Paket / fall : TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
259770 Stücke
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