SSM3K56MFV,L3F Datenblatt
Technische Daten für SSM3K56MFV,L3F
Artikelnummer : SSM3K56MFV,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Serie : U-MOSVII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 55pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VESM
Paket / fall : SOT-723
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6494540 Stücke
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