SSM6N16FUTE85LF Datenblatt
Technische Daten für SSM6N16FUTE85LF
Artikelnummer : SSM6N16FUTE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9.3pF @ 3V
Leistung max : 200mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : US6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6152725 Stücke
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