Technische Daten für SSM6N35AFU,LF

Artikelnummer : SSM6N35AFU,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.34nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 10V
Leistung max : 285mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : US6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
5195630 Stücke
Referenzpreis
USD 0
Unser Preis
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