SSM6N68NU,LF Datenblatt
Technische Daten für SSM6N68NU,LF
Artikelnummer : SSM6N68NU,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 129pF @ 15V
Leistung max : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-UDFN (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SSM6N68NU,LF
Hersteller
Kurze Beschreibung
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3728920 Stücke
Referenzpreis
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