SSM6N815R,LF Datenblatt
Technische Daten für SSM6N815R,LF
Artikelnummer : SSM6N815R,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate, 4V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 15V
Leistung max : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : 6-TSOP-F
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-SSM6N815R,LF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3110115 Stücke
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