SSM6P35FE(TE85L,F) Datenblatt
Technische Daten für SSM6P35FE(TE85L,F)
Artikelnummer : SSM6P35FE(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12.2pF @ 3V
Leistung max : 150mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : ES6 (1.6x1.6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3778640 Stücke
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