STB33N65M2 PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Technische Daten für STB33N65M2

Artikelnummer : STB33N65M2

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Serie : MDmesh™ M2

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1790pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

STB33N65M2

Interne Teilenummer

AX-STB33N65M2

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

245715 Stücke

Referenzpreis

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Unser Preis

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
XCR3512XL-10FTG256C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 9NS 256BGA
EPM7256AETC100-5	Intel	IC CPLD 256MC 5.5NS 100TQFP
EPM7512AEFI256-10	Intel	IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA
EPM7256AETC100-7	Intel	IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP
EPM7512AETC144-10N	Intel	IC CPLD 512MC 10NS 144TQFP
EPM2210GF256C3N	Intel	IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA
EPM7256AETC100-7N	Intel	IC CPLD 256MC 7.5NS 100TQFP
XCR3512XL-12PQG208C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP
ATV2500BQ-25KI	Microchip Technology	IC CPLD QTR PWR 25NS CER 44JLCC
GAL16V8Z-15QJ	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 8MC 15NS 20PLCC

STB33N65M2 Datenblatt

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