Technische Daten für STD12NF06LT4

Artikelnummer : STD12NF06LT4
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Serie : STripFET™ II
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 42.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
49950 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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