Technische Daten für STD5N80K5

Artikelnummer : STD5N80K5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
Serie : MDmesh™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 177pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Referenzpreis
USD 0
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