STE110NS20FD Datenblatt
Technische Daten für STE110NS20FD
Artikelnummer : STE110NS20FD
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Serie : MESH OVERLAY™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 504nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : ISOTOP®
Paket / fall : ISOTOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STE110NS20FD
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
64700 Stücke
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