STF26N60DM6 Datenblatt
Technische Daten für STF26N60DM6
Artikelnummer : STF26N60DM6
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
Serie : MDmesh™ DM6
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220FP
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STF26N60DM6
Hersteller
Kurze Beschreibung
N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
92040 Stücke
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